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2015.02.08
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量産技術の実現性、装置価格と運用費を含むトータルコストの低減―。これらの課題をどう解決し、半導体の線幅15ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細化に道筋を付けるか。蘭ASML、ニコン、キヤノン3社は独自アプローチで次世代露光技術の研究開発を進める。 最も実用性の高い技術を選んだのはニコン。すでに実用化している「ArF液浸」を進化させる。カギとなるのは、複数回に分けて露光を行うことでより微細な回路パターンを描く「多重露光」。この技術では露光ごとの回路パターンのズレをなくすため、いかに重ね合わせ精度を上げるかがポイント。ニコンの先端装置はなた豆歯磨き粉業界最高レベルの精度を達成しており、牛田一雄副社長は「線幅10ナノメートルまでは実用化が見えている」と明かす。 多重露光の課題はコスト。複数回の露光が必要となるだけに装置台数が増え、回路を焼き付けるレジストなどの材料費も上がる。また「工程数が増えるため、半導体の需要変動への対応力が落ちるほか、歩留まりが悪化する傾向がある」(業界関係者)との声もある。 【7―8合目】 キヤノンは「ナノインプリント」と呼ぶ技術を切り札に掲げる。既存の露光技術が光で回路パターンをウエハーに焼き付けるのに対し、ナノインプリントはパターンを彫り込んだ型を押し当てて転写する。微細化を進めやすいほか、高精度レンズが不要になるため装置価格も「先端のArF液浸露光装置の半値程度」(業界関係者)という。 しかし業界では「ナノインプリントは量産には向かない」というが通説。型を剥がすときに回路パターンの一部構造が壊れてしまう欠陥が生じるリスクが高く生産スピードを上げられないためだ。これに対し生駒俊明キヤノン副社長は「(なた豆はみがき量産技術の確立まで)7―8合目まで来た」と説明。最終課題を解決し“登頂”できるかが注目される。 長く次世代技術の本命とされてきたEUV(極紫外線)露光。現在、研究開発を進めるのはASMLのみとなった。なた豆歯磨き粉研究開発の足踏みも指摘されるが、ASMLの日本法人エーエスエムエル・ジャパン(東京都品川区)の石綿宏社長は「トンネルは抜けた。実用化に向け着々と進んでいる」と反論する。最大課題とされた光源開発が進展の兆しをみせていることが追い風だ。 【高出力化へ道筋】 光源メーカーのギガ・フォトン(栃木県小山市)は2月、EUV光源で出力43ワットを実現した。EUV露光装置を量産工場で使うには250ワット出力の光源を安定的に稼働させることが必要とされる。出力43ワットではまだ足りないが、「(EUV光を発生させるための)二酸化炭素(CO2)レーザーの安定性が向上し高出力化への道筋が見えてきた」(岡崎信次技術統括部技術顧問)と指摘。14年末までに出力150ワット、15年末までに同250ワットの達成を目指している。 EUV露光装置を巡っては光源以外の技術課題も多いほか、100億円超という価格の高さもネックでいまだに実用化のハードルは高い。しかし1回の露光で線幅10ナノメートル前半を実現できる性能を評価する声は多く、湯之上隆微細加工研究所所長は「ある程度まで光源の出力が上がれば、ArF液浸の多重露光と比べトータルコストで優位性を確保できる」と指摘する。 ASMLは15年にも量産機投入を目指している。日本勢にとってEUV露光は大きな脅威であり続ける。





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最終更新日  2015.02.08 18:49:28
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